10.3969/j.issn.1001-2400.2012.03.034
机械致单轴应变SOI晶圆的制备
提出了一种晶圆级单轴应变绝缘层上硅(SOI)的新方法,并阐述了其工艺原理.将直径为100 mm (4英寸)的SOI晶圆片在曲率半径为0.75m的弧形弯曲台上进行机械弯曲,弯曲状态下的SOI晶圆片在250℃下进行了20 h的热退火处理.对弯曲退火后SOI晶圆片进行了拉曼光谱表征,其拉曼频移为520.3cm-1,小于体硅的典型值,拉曼频移差达到-0.3 cm-1,说明弯曲退火后的SOI晶圆片发生了单轴张应变.相应的应变量计算为0.077％,高于文献报道的0.059％.
绝缘层上硅、单轴应变、机械弯曲、弹塑性力学
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TN304(半导体技术)
国家重点基础研究发展计划973资助项目6139801-1
2012-07-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
209-212
