10.3969/j.issn.1001-2400.2012.03.013
应变Si1-xGex(100)电子散射几率
基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论,针对离化杂质、声学声子、谷间声子及合金无序散射机制,研究了应变Si1-xGex/(100)Si材料电子散射几率与应力及能量的关系.结果表明:在应力的作用下,应变Si1-xGex/(100)Si材料声学声子及f2、f3型谷间声子散射几率显著降低.Si基应变材料电子迁移率增强与其散射几率密切相关.
应变Si1-xGex、电子、散射
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
国家部委资助项目51308040203,6139801;中央高校基本科研业务费资助项目72105499,72104089;陕西省自然科学基础研究计划资助项目2010JQ8008
2012-07-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
86-89,105
