10.3969/j.issn.1001-2400.2011.06.006
一种碳化硅外延层质量评估新技术
由于当前多种技术同时被用于碳化硅( SiC)外延层质量表征,造成外延层和器件研制成本高、时间长、易损伤、不能在线检测等,限制了SiC外延材料和器件的发展.用红外镜面反射谱、拉曼散射谱、X射线衍射、原子力显微镜和X射线光电子能谱等对4H-SiC外延层质量进行了测试.测试结果的分析和 比较表明,红外镜面反射谱不但能提供拉曼散射谱、X射线衍射、原子力显微镜和X射线光电子能谱等测试的所有质量参数,而且其解析结果与其他几种技术的解析结果一致.因此,红外镜面反射谱可以作为一种低成本、快捷、无损、可在线的碳化硅外延层质量监测技术.
碳化硅、外延层、质量评估、红外镜面反射谱
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O472+3(半导体物理学)
国家自然科学基金资助项目60e76061;陕西省13115创新工程资助项目2008ZDKG-30
2012-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
37-43,96
