10.3969/j.issn.1001-2400.2011.02.024
一种峰值电流控制模式的大功率DC-DC转换器芯片设计
基于CSMC 0.5 μm BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺设计了一种降压型大功率DC/DC转换器电路.采用峰值电流控制的电流模技术和斜坡补偿技术,有效提高了转换器的瞬态响应速度和系统环路稳定性.芯片内部集成了导通电阻小于0.18 Ω的功率MOSFET,可输出大干3.0A的连续电流.仿真和测试结果表明,在输入电压为4.7V至24V的条件下,芯片内部振荡频率为400kHz,输出功率可达10W,平均转换效率可达85%以上.整个芯片面积小于1.6mm×1.3mm,可广泛用于分布式电源系统中.
BCD工艺、降压型、峰值电流控制、瞬态响应
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TN402(微电子学、集成电路（IC）)
国家自然科学基金资助项目61006028,60676009,60725415;国家重大科技专项基金资助项目2009ZX01034-002-001-005;AM基金资助项目XA-AM-201010
2011-07-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
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