10.3969/j.issn.1001-2400.2011.01.007
4H-SiCn-MOSFET新型反型层迁移率模型
提出了一种基于物理的4H-SiC n-MOSFET反型层迁移率模型.基于第一性原理的准二维库仑散射迁移率模型考虑了载流子屏蔽效应和温度对库仑散射的影响,模型中不包含任何经验参数,可方便地应用于二维器件模拟软件.推导出SiC表面粗糙散射迁移率模型的参数与界面粗糙度之间的数值关系.模拟结果表明:库仑散射机制主要在近表面处起作用;随着栅电压增大,表面粗糙散射所起的作用逐渐显著;较高掺杂的SiC MOSFET表面粗糙散射成为限制反型层迁移率的最主要散射机制.
碳化硅、反型层、迁移率、库仑散射
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TN386(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目60876061,61006060;中央高校基本科研业务费资助项目JY10000925009
2011-05-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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