10.3969/j.issn.1001-2400.2009.06.015
X波段单级氮化镓固态放大器
利用自主研制的SiC衬底的栅宽为2.5 mm的AlGaN/GaN HEMT器件,设计完成了单级X波段氮化镓固态放大器模块.模块由AlGaN/GaN HEMT器件、偏置电路和微带匹配电路构成.采用金属腔体和测试夹具,保证在连续波下具有良好的接地和散热性能.利用双偏置电路馈电,并且采用独特的电容电阻网络和栅极串联电阻消除了低频和射频振荡.利用微带短截线完成了器件的输入输出匹配.在8GHZ频率及连续波情况下(直流偏置电压为V_(ds)=27V,U_(gs)=-4.0V),放大器线性增益为5.6 dB,最大效率为30.5%,输出功率最大可达40.25 dBm(10.5W),此时增益压缩为2 dB.在带宽为500 MHz内,输出功率变化为1 dB.
AlGaN/GaN、HEMT、固态放大器模块、饱和输出功率、增益压缩、功率附加效率
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TN325~+.3(半导体技术)
国家自然科学基金重点基金支持研究项目资助60736033
2010-02-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
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