10.3969/j.issn.1001-2400.2009.02.022
多晶SiC/多孔硅结构材料的APCVD生长及表征
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在电化学腐蚀的多孔硅村底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,研究了多孔硅孔隙率对薄膜生长质量的影响.实验结果表明,当多孔硅孔隙率较低时,得到的是含有SiC(111)晶粒的多晶硅薄膜,随着孔隙率的增加,生长薄膜由富碳多孔SiC向多晶SiC薄膜过渡,表面平整度增加,并具有<111晶向择优生长的特点.
多晶碳化硅薄膜、多孔硅、常压化学气相淀积、生长、表征
36
O484(固体物理学)
国家部委预研项目资助51308030201
2009-05-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
298-300,330