10.3969/j.issn.1001-2400.2008.01.024
AlGaN/GaN HEMTs表面钝化抑制电流崩塌的机理研究
通过实验测量对AlGaN/GaN HEMT表面钝化抑制电流崩塌的机理进行了深入研究.AlGaN/GaN HEMT Si3N4钝化层使用PECVD获得.文章综合考虑了钝化前后器件输出特性及泄漏电流的变化,钝化后直流电流崩塌明显减少,仍然存在小的崩塌是由于GaN缓冲层中的陷阱对电子的捕获.传输线模型测量表明,钝化后电流的增加是由于钝化消除了表面态密度进而增加了沟道载流子密度.
高电子迁移率晶体管、钝化、电流崩塌
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TN386(半导体技术)
国家重点基础研究发展计划973计划51327020301
2008-04-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
125-128
