10.3969/j.issn.1001-2400.2008.01.017
K掺杂P型ZnO薄膜的制备及其表征
以ⅠA族元素钾(K)作为掺杂剂,利用射频磁控溅射沉积技术,在单晶Si(111)衬底上成功生长了K:p-ZnO薄膜.采用Hall测试仪、X射线衍射、原子力显微镜和X射线光电谱等测试分析技术,对其结构和电学性能进行了研究.结果显示,该p-ZnO薄膜呈现良好的(002)单重择优生长特性,当衬底温度为500℃,氧分压为30%时表面粗糙度仅为89.05 nm,其相应的空穴浓度为5.45×1017/cm3,迁移率为1.96 cm2/(V·s),电阻率为5.91 Ω·cm,具有较好的结晶质量和电性能.
氧化锌、薄膜、掺杂、射频、磁控溅射
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TN304;O472(半导体技术)
国家部委预研究基金513230401
2008-04-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
92-95
