10.3969/j.issn.1001-2400.2007.01.004
6H-SiC NMOS与PMOS温度特性分析
考虑界面态电荷高斯分布模型以及Poole-Frenkel效应,对SiC MOSFET补偿电流源模型进行了修正,分析了造成6H-SiC NMOS与PMOS器件补偿电流源变化的原因.结果表明:界面态电荷的非均匀分布造成由阈值电压漂移引起的输出漏电流改变量随温度的升高逐渐减小;漏衬界面缺陷是造成体漏电流较大(达到微安量级)的主要因素,且缺陷密度越大,该值随温度增长的速度越快.
碳化硅、补偿电流源、冻析效应、普尔-弗兰克效应、体漏电流
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TN386(半导体技术)
教育部科学技术研究项目02074;国家部委预研项目513080302
2007-03-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
16-20
