10.3969/j.issn.1001-2400.2006.05.012
深亚微米电路NMOS器件HCI退化建模与仿真
提出一种深亚微米NMOSFET的热载流子注入下漏电流退化模型及其电路退化仿真方法.该模型将亚阈区、线性区和饱和区的漏电流退化行为统一到一个连续表达式中,避免了分别描述时由于模型不连续而导致的仿真不收敛问题.并且在模型中对亚阈区的栅偏依赖现象进行建模,提高了模型描述器件退化的准确度.用基于0.25 μm工艺的NMOS器件对模型进行了验证,测试数据与仿真结果吻合得很好.
深亚微米NMOSFET、热载流子注入退化、ΔId模型、电路可靠性
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TN386.6(半导体技术)
国家高技术研究发展计划863计划2003AA1Z1630;国家自然科学基金60376024;60206006
2006-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
721-724,753
