10.3969/j.issn.1001-2400.2006.04.009
CMOS工艺中栅耦合ESD保护电路
为了克服大尺寸静电放电损伤防护元件存在的不均匀导通情况,提出了一种改进的静电放电损伤保护电路方案.该方案利用栅漏交叠区的结扩散电容作为耦合元件,电容耦合作用使大尺寸元件在静电放电损伤事件发生时能够均匀导通,从而有效提高静电放电损伤保护电路的抗静电能力.
静电放电损伤、电容耦合、保护电路
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TN386(半导体技术)
国家高技术研究发展计划863计划2003AA1Z1630
2006-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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