10.3969/j.issn.1001-2400.2006.04.003
感应耦合等离子体选择性刻蚀GaN/AlGaN
采用Cl2/Ar作为刻蚀气体,研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响.GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小,随感应耦合等离子体功率的增大变化不大.在Cl2/Ar为3:1的刻蚀气体中加入10%的O2对GaN刻蚀速率影响不大,却使Al0.27Ga0.73N刻蚀速率明显下降,从而提高了GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比.对比了采用不同自偏压刻蚀的Al0.27Ga0.73N材料肖特基的特性,发现反向漏电流随自偏压的增大而增大.
感应耦合等离子体、刻蚀速率、选择性刻蚀、选择比、刻蚀损伤
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TN325+.3(半导体技术)
国家重点基础研究发展计划973计划2002CB311904;国家部委预研项目41308060106
2006-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
520-523
