10.3969/j.issn.1001-2400.2005.04.006
纤锌矿型GaN电子迁移率的计算
考虑了对纤锌矿型氮化镓低场电子输运影响最为显著的4种散射机制--电离杂质散射,极化光学波散射,声学波压电散射和声学声子形变势散射的单个平均动量驰豫时间,采用Mattiessen's rule计算了不同补偿率以及不同载流子浓度条件下,氮化镓电子漂移迁移率,霍耳因子以及霍耳迁移率随温度的变化.计算表明,温度小于200K时总霍耳因子随温度的增加而增加,200K时达到峰值1.22,温度大于200K后霍耳因子则随着温度的增大而减小.此外,在包括室温在内的较高温度下,极化光学波散射对电子迁移率的变化起决定作用.温度较低时,声学波压电散射对电子迁移率的影响较大.
氮化镓、电子漂移迁移率、霍耳因子、霍耳迁移率、补偿率
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TN304.2+3(半导体技术)
国家重点基础研究发展计划973计划2002CB311904;国家部委预研项目41308060106
2005-09-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
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