10.3969/j.issn.1001-2400.2004.02.003
FLOTOX结构的EEPROM可靠性研究
分析了影响FLOTOX EEPROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口的退化,电荷保持特性的退化以及与时间有关的氧化层击穿等.FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关.隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOX EEPROM性能退化的主要原因.实验证实氧化层中的陷阱电荷对FLOTOX EEPROM性能的退化起主要作用.
FLOTOX、EEPROM、退化、可靠性
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TN406(微电子学、集成电路(IC))
国家重点实验室基金00JS03.2.1.JW0205
2004-05-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
174-176,181