10.3969/j.issn.1001-2400.2004.02.001
SiGe HBT直流特性模型研究
在求解漂移扩散方程的基础上,建立了全面系统的SiGe HBT直流特性模型及物理意义清晰的各电流解析表达式.所建立的SiGe HBT直流特性的各电流模型均适应大注入及小注入情况.模拟分析了基区掺杂浓度及Ge组分对电流密度的影响,模拟结果表明,基区掺杂浓度的增加减小了集电极电流、增大了中性基区复合电流,从而降低了电流增益;而Ge组分越高,集电极电流密度就越大,从而提高了SiGe HBT的电流增益.模拟了基区发射结侧Ge组分及发射区掺杂浓度对基区空穴反注入电流密度的影响,结果表明,提高Ge组分能明显减小空穴反注入电流,获得更高的电流增益.
SiGe HBT、直流特性、模拟
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TN325+3;TN323+2(半导体技术)
国家重点实验室基金99JS09.1.1.DZ01,JS09.2.1.DZ01;国家部委预研项目51408010301DZ0131
2004-05-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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165-169
