10.3969/j.issn.1001-2400.2004.01.016
Ni/4H-SiC肖特基二极管高温特性研究
采用自行研制的工作在800℃的半导体器件高温测试装置,对Ni/4H-SiC肖特基二极管的伏安特性在常温297 K至677 K的温度范围内进行了测量,表明温度升高对正向特性的影响非常显著,而对较低偏置(30 V以下)条件下的反向特性影响则比较小.对实验结果进行了比较分析,I-V特性测量说明镍4H-SiC肖特基二极管有较好的整流特性,在正向偏压条件下,热电子发射是其主要的输运机理,理想因子在297～677 K的温度范围内从1.165增加到1.872,肖特基势垒高度的变化范围为0.916～2.117 eV,正向导通电压为0.5 V.
碳化硅、肖特基势垒二极管、伏安特性、热电子发射理论
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TN303(半导体技术)
国家部委重点项目41308060107
2004-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
63-66,75
