10.3969/j.issn.1001-2400.2003.02.026
四探针法测量应变Si1-xGex掺杂浓度
在对Si1-xGex材料多子迁移率模型分析基础上,建立了Si1-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度关系的曲线图谱.经过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究,提出了采用四探针法表征Si1-xGex材料掺杂浓度的技术.该表征技术与Si材料掺杂浓度的在线检测技术相容,且更加简捷.通过实验及对Si1-xGex材料样品掺杂浓度的现代理化分析验证了其可行性.
Si1-xGex材料、迁移率模型、电阻率、掺杂浓度、四探针
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TN304.07(半导体技术)
国家重点实验室基金99JS09.3.1DZ0111
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
255-258,280
