10.3969/j.issn.1001-2400.2003.01.014
GaN基蓝色LED的研究进展
介绍了GaN材料的基本特性、GaN材料适于做蓝光LED的优势以及具有典型代表意义的GaN基LED器件,讨论了该领域国际最新研究出的蓝光LED和工作原理;从其发展进程中不难看出,改变器件结构、提高材料质量或采用新型材料使GaN基蓝光LED的光谱质量和量子效率有了本质提高.同时就制备过程中的关键工艺技术(包括p型掺杂、退火温度、欧姆接触等)及国内外研究进展进行了探讨,对GaN基LED的发展方向及应用前景提出了展望.
GaN、蓝光LED、发展进程
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TN304(半导体技术)
国家部委预研项目41308060106
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
60-65
