10.3969/j.issn.1001-2400.2002.04.009
碳化硅异质外延薄膜生长及表面缺陷研究
讨论了引入Ⅲ-Ⅴ族氮化物为蓝宝石与碳化硅中间的缓冲层,用常压气相外延手段在蓝宝石/Ⅲ-Ⅴ族氮化物复合衬底上异质外延碳化硅薄膜的过程.在C面(0001)蓝宝石上成功地生长出SiC薄膜.扫描电子显微镜显示薄膜表面连续、光滑,证明良好的氮化物缓冲层对碳化硅薄膜异质生长具有重要的意义,同时在表面发现直径为1～10 μm的六角形缺陷.对缺陷面密度与工艺参数的关系进行了分析,并对缺陷产生的机理进行了探讨,认为反应产生物的腐蚀是产生六角形缺陷的来源.
碳化硅、异质外延、表面缺陷
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TN304.2(半导体技术)
国家部委预研项目w0007T45
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
465-469
