10.3969/j.issn.1001-2400.2002.04.008
MOSFET单粒子翻转效应的二维数值模拟
用MEDICI二维模拟软件对MOSFET的单粒子翻转现象进行了计算,力图从理论上建立分析器件单粒子翻转的可靠手段.通过输入不同粒子的线性能量传输值,得到了某一结构器件的翻转概率与线性能量传输值的关系曲线.分析了不同结构参数的变化对单粒子翻转的影响.模拟得到的结果与电荷漏斗模型相吻合,表明了所建立的物理模型的正确性.
单粒子翻转、线性能量传输、电荷漏斗模型
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TN432;O571.33(微电子学、集成电路（IC）)
国家部委预研项目KJ.11.1.4
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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