10.3969/j.issn.1001-2400.2002.03.007
单电子晶体管隧穿电阻的量子计算
单电子晶体管是一种新型量子器件,有可能代替当前集成电路中的硅晶体管.这种器件的工作原理是单电子通过电极与库仑岛之间势垒层的隧道贯穿量子效应.但是,描述单电子晶体管I-V特性的正统理论却是一种唯象理论,对于半导体单电子晶体管往往只能给出定性的结果,不能给出隧道结电阻的微观解释及定量计算方法.文中从单电子晶体管微观哈密顿量出发,推导基于微观参量表征的单电子器件输运特性公式及隧道结电阻表示式.在此基础上,研究了隧穿电阻的特性及量子力学的计算方法.计算结果与实验结果符合较好,可用于分析单电子晶体管栅极几何设计参量对于其I-V特性的影响.
单电子晶体管、库仑阻断、隧穿电阻、量子计算、微扰论
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TN32;TN30(半导体技术)
国家部级科研项目00J8.4.3.DZ0134;教育部重点实验室基金;教育部高校骨干教师资助计划
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
314-318
