10.3969/j.issn.1001-2400.2002.02.002
单电子晶体管I-V特性数值分析
在单电子晶体管的正统理论的基础上,建立了平稳条件下I-V特性的数值分析方法.应用该方法计算和分析了温度和栅压对单电子晶体管I-V特性的影响,研究了隧道结电阻对于库仑台阶及电导振荡的影响,分析了单电子现象产生的条件.
单电子晶体管、库仑阻塞、库仑台阶、主方程
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TN303(半导体技术)
国家部级科研项目00J8.4.3.DZ013;教育部重点实验室基金
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
153-156,168
