10.3969/j.issn.1001-2400.2002.02.001
深亚微米槽栅PMOSFET短沟道效应的模拟研究
基于流体动力学能量输运模型,首先研究了槽栅器件对短沟道效应的抑制作用,接着研究了不同衬底和沟道杂质浓度的深亚微米槽栅PMOSFET对短沟道效应抑制的影响,同时与相应平面器件的特性进行了对比.研究结果表明,槽栅器件在深亚微米和超深亚微米区域能够很好地抑制短沟道效应,且随着衬底和沟道掺杂浓度的升高,阈值电压升高,对短沟道效应的抑制作用增强,但槽栅器件阈值电压变化较平面器件小.最后从内部物理机制上对研究结果进行了分析和解释.
深亚微米、槽栅PMOSFET、沟道杂质浓度、衬底杂质浓度、短沟道效应、拐角效应
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TN303.12(半导体技术)
国家部委预研项目99J8.1.1.DZD132;高等学校博士学科点专项科研项目8070110
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
149-152
