10.3969/j.issn.1001-2400.2002.01.022
等离子体边缘损伤的横向分布测量
等离子体刻蚀工艺中,栅边缘直接暴露在等离子体环境中,UV射线和粒子轰击会在栅漏交叠区栅氧化层中和硅二氧化硅界面处产生大量的陷阱,这些陷阱的分布和数量对器件的长期可靠性将会产生重大的影响.采用低频电荷泵技术测量了栅边缘损伤的横向分布,为评估栅边缘损伤提供了一个良好的手段.
边缘损伤、栅漏交迭区、低频电荷泵
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TN303(半导体技术)
国家部委预研项目8.5.3.4
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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