10.3969/j.issn.1001-2400.2001.06.020
高温SiC MESFET特性模拟研究
在建立SiC材料和器件的有关模型基础上,运用二维器件模拟器MEDICI在200~700 K温度范围内,对4H-SiC MESFET的直流和交流小信号特性进行了模拟与分析.将模拟所得到的高温特性典型参数与实验值进行比较分析,得到较满意的结果.
碳化硅、MESFET、交流小信号特性、二维模拟
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TN303(半导体技术)
国家部级科研项目00J.8.2.1.DZ0130
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
776-780