10.3969/j.issn.1001-2400.2001.02.007
衬底掺杂浓度对深亚微米槽栅PMOSFET特性影响
基于流体动力学能量输运模型，利用二维器件仿真软件MEDICI，对衬底掺杂浓度不同的深亚微米槽栅PMOSFET特性进行了研究，并与相应平面器件的特性进行了对比．研究发现，随着衬底掺杂浓度的提高，与平面器件相同，槽栅器件的阈值电压提高，漏极驱动能力降低，抗热载流子能力急剧退化；但与平面器件相比，槽栅器件的阈值电压受衬底杂质浓度影响较小；漏极驱动能力及抗热载流子性能随衬底杂质浓度提高的退化则较平面器件小得多．
深亚微米槽栅PMOSFET、衬底杂质浓度、热载流子特性、漏电流驱动能力、阈值电压
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TN30(半导体技术)
国家部委预研项目99J8.1.1.DZD132;高等学校博士学科点专项科研项目8070110
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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158-162
