10.3969/j.issn.1001-2400.2001.01.003
槽栅PMOSFET沟道杂质浓度对其特性影响
利用二维器件仿真软件MEDICI，基于动力学能量输运模型对沟道掺杂浓度不同的深亚微米槽栅PMOSFET的特性进行了研究，并与相应平面器件的特性进行了对比．研究发现，随着沟道掺杂浓度的提高，与平面器件相同，槽栅器件的阈值电压提高，漏极驱动能力降低，抗热载流子效应增强；但与平面器件相比，槽栅器件的阈值电压受沟道杂质浓度影响较小，漏极驱动能力随沟道杂质浓度提高的退化则较平面器件严重，抗热载流子能力的增强较平面器件大得多．因此在基本不影响其他特性的条件下，可以通过降低沟道杂质浓度来提高槽栅器件的漏极驱动能力．
槽栅PMOSFET、沟道杂质浓度、阈值电压、漏极电流驱动能力、热载流子效应
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TN30(半导体技术)
国家部委预研项目99J.1.1.DZD132
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
8-12,56
