10.3969/j.issn.1001-2400.2000.02.022
SiC单片集成电路工艺技术
对宽禁带半导体材料碳化硅的异质外延技术以及碳化硅集成电路单项工艺技术进行了讨论,比较了不同的工艺对集成电路制造的影响.介绍了工作于5 V电压下的碳化硅数字互补型金属氧化物半导体集成电路工艺技术.
碳化硅集成电路、异质外延、界面态
27
TN47(微电子学、集成电路(IC))
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
228-232
10.3969/j.issn.1001-2400.2000.02.022
碳化硅集成电路、异质外延、界面态
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TN47(微电子学、集成电路(IC))
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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