10.3969/j.issn.1001-2400.2000.02.012
蓝宝石/氮化铝衬底上SiC外延薄膜的X射线衍射分析
介绍了在蓝宝石/氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术.通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善.用多种X光衍射方法对生长在蓝宝石/氮化铝复合衬底上的碳化硅薄膜的结构进行了分析,结果表明,可在这种衬底上成功地生长出6H-SiC单晶薄膜.
蓝宝石/氮化铝复合衬底、X射线衍射、晶格失配
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TN304.24(半导体技术)
国防科技预研基金97J8.3.2
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
186-189
