10.3969/j.issn.1001-2400.2000.01.019
硅基3C-SiC薄膜的外延生长技术
用常压化学气相淀积法在(100)Si衬底上异质外延生长了3C-SiC薄膜.为减小3C-SiC与硅之间的晶格失配,在化学气相淀积系统中通过对硅衬底表面碳化制备了缓冲层,确定了形成缓冲层的最佳条件.用X-射线衍射、俄歇电子能谱、扫描电镜对薄膜的特性进行了分析.测量结果表明,1 300℃下在Si衬底缓冲层上可以获得3C-SiC单晶.
碳化硅、缓冲层、化学气相淀积、外延生长
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TN304.0(半导体技术)
中国科学院资助项目69772023
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
80-82,87