10.3969/j.issn.1001-2400.2000.01.008
一种亚微米模拟电路中MOS器件的设计方法
提出一种可用于亚微米金属氧化物场效应晶体管的器件模型,它兼具了形式简洁和精度相当于BSIM3模型的特点,在此基础上讨论了器件电性能与结构之间的关系.设计结果与实验结果符合良好.
亚微米MOS器件、短沟效应、碰撞电离效应
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TN303(半导体技术)
国家科技攻关项目96-738-01-03-06
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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