10.3969/j.issn.1001-2400.1999.06.027
SiC抗辐照特性的分析
用半导体抗辐照的机理说明了SiC材料具有良好的抗辐照特性.实验数据的对比表明,SiC在器件发光二极管(LED),结型场效应晶体管(JFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)上对辐照影响不敏感.从原理上预测了SiC集成电路的单粒子反转(SEU)截面,结果说明SiC集成电路具有好的抗SEU能力.
碳化硅、辐照、材料、器件
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TN304.0(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
807-810