10.3969/j.issn.1001-2400.1999.05.016
薄栅介质的电子俘获击穿机理及物理模型
氧化层的经时击穿是集成电路中一个非常重要的问题.从理论上分析了氧化层经时击穿的电子俘获击穿机理,给出了相关的物理模型,同时指出了一些物理模型中存在的问题,为进一步研究氧化层的经时击穿机理及氧化层经时击穿可靠性的建模提供了理论依据.
氧化层经时击穿、电子陷阱、击穿机理
26
TN306(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
610-613
10.3969/j.issn.1001-2400.1999.05.016
氧化层经时击穿、电子陷阱、击穿机理
26
TN306(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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