10.13911/j.cnki.1004-3365.220222
柠檬酸在钴基铜互连CMP及后清洗的研究进展
钴(Co)具有较低的电阻率、良好的热稳定性、与铜(Cu)粘附性好等优点,可以替代钽(Ta)成为14 nm以下技术节点集成电路(IC)Cu互连结构的新型阻挡层材料.化学机械抛光(CMP)是唯一可以实现Cu互连局部和全局平坦化的方法,也是决定Co基Cu互连IC可靠性的关键技术.柠檬酸含有羟基,在电离后对金属离子有较强的络合作用,成为Co基Cu互连CMP及后清洗中的主要络合剂.文章评述了柠檬酸在Cu互连CMP及后清洗中的应用和研究进展,包括柠檬酸对Cu/Co去除速率选择比、Co的表面形貌以及CoCMP后清洗中Co表面残留去除等方面的影响,并展望了络合剂及Cu互连阻挡层CMP的发展趋势.
柠檬酸、铜互连、钴阻挡层、化学机械抛光、化学机械抛光后清洗、络合剂
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TN305.2;TQ421.4(半导体技术)
国家科技重大专项;河北省自然科学基金资助项目
2023-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共9页
483-491
