10.13911/j.cnki.1004-3365.220457
硅基超薄柔性芯片的力学和电学特性研究进展
全面综述了硅基超薄柔性芯片在单轴弯曲应力下的力学和电学特性研究进展,包括弯曲形变的测试方法及应力计算公式,弯曲应力对器件及单元电路响应特性的影响,以及考虑应力效应的器件建模方法.弯曲应力会导致MOSFET的迁移率、阈值电压、漏极电流等关键电参数发生变化,且变化率与所施加的应力大小和方向均密切相关.将器件电学参数随应力变化的数学关系与常规的器件模型相结合,可得到适用于柔性可弯曲器件的紧凑模型,从而使下一代计算机辅助设计工具能够满足未来高性能柔性芯片的设计需求.
超薄柔性芯片、弯曲应力效应、MOSFET、压阻系数、器件建模
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TN03(一般性问题)
重庆市自然科学基金面上项目CSTB2022NSCQ-MSX0254
2023-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共11页
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