10.13911/j.cnki.1004-3365.230223
碳化硅功率器件高密度互连技术研究进展
相比于硅,SiC材料因具有宽禁带、高导热率、高击穿电压、高电子饱和漂移速率等优点而在耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件中得到了广泛应用.传统的引线键合是功率器件最常用的互连形式之一.然而,引线键合固有的寄生电感和散热问题严重限制了 SiC功率器件的性能.文章首先介绍了硅功率器件的低寄生电感和高效冷却互连技术,然后对SiC功率器件互连技术的研究进行了综述.最后,总结了 SiC功率器件互连技术面临的挑战.
碳化硅、功率器件、封装、硅材料
53
TN323.4(半导体技术)
集成电路与微系统全国重点实验室基金资助项目2022-JCJQ-LB-049-9
2023-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
465-471
