10.13911/j.cnki.1004-3365.220285
一种100 MHz~12 GHz高功率SPDT射频开关
基于0.13 μmCMOS SOI工艺,设计并实现了一种100 MHz~12 GHz高功率SPDT射频开关.该射频开关为吸收式射频开关,开关支路为串并联的拓扑结构.采用负压偏置设计,减小了插入损耗,提高了隔离度.采用多级开关管堆叠设计,提高了开关的输入1 dB压缩点.测试结果表明,在100 MHz~12 GHz频率范围内,该射频开关插入损耗小于1.5 dB,隔离度大于31 dB,输入1 dB压缩点大于40 dBm.芯片尺寸为1.1 mm ×1.1 mm.
高功率、高隔离度、射频开关、SOI
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TN432(微电子学、集成电路(IC))
重庆市技术创新与应用发展专项项目CSTC2021JSCX-GKSB0092
2023-11-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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