10.13911/j.cnki.1004-3365.220330
一种基于SiGe工艺的高速宽带D/A转换器
介绍了一款基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺设计的12位4.5 GSPSD/A转换器.首先给出了低延迟高速率DAC设计对制造工艺器件参数的约束评估,设计采用了低延迟架构和CML逻辑.一种创新的输出模式架构突破了大多数DAC输出频谱sin(x)/x包络的极限,有效扩展了 DAC的线性度.同时,该架构减小了关节节点的寄生电容和电感,扩展DAC可用模拟输出带宽至5.9 GHz,该DAC芯片流片测试结果显示其转换速率达到了 4.5 GHz,延迟时间少于3.5个时钟周期,转换器在时钟频率4.5 GHz,输出模拟信号频率4.455 GHz时,SFDR达到57 dBc.
D/A转换器、CML逻辑、SiGe工艺、低延迟
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
模拟集成电路国家级重点实验室基金资助项目61428020109
2023-11-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
372-378
