10.13911/j.cnki.1004-3365.220087
一种新型双Fin ESD防护单元研究
为满足小尺寸器件的ESD防护需求,基于Fin技术,提出了 一种具有寄生SCR的STI双Fin结构.通过采用双Fin布局和深掺杂技术,减小了器件的基区宽度,避免了 Fin技术中由弱电导调制导致的SCR无法开启的现象.仿真结果表明,相比于DFSD结构,新结构失效电流It2/Wlayout 从 21.67 mA/μm 增加到 28.33 mA/μm;触发电压 Vt1 从 14.08 V 减小到 9.64 V.在ESD来临时,新结构能够实现有效的开启,泄放大电流.
鳍式场效应晶体管、电导调制、深掺杂、静电放电
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TN342;TN306(半导体技术)
国家自然科学基金61274080
2023-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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