10.13911/j.cnki.1004-3365.220081
新型范德华绝缘体封装的MoS2晶体管性能研究
以MoS2为代表的二维半导体材料是下一代延续摩尔定律的潜在电子学新材料之一.然而,二维特性使得MoS2中电子的输运行为对环境条件高度敏感.采用范德华绝缘体材料进行封装包覆,是目前消除二维半导体器件环境敏感性的有效方案之一.文章采用化学气相传输法制备新型范德华绝缘体材料CrOCl,并以少层CrOCl为介电层和封装材料,设计并制备了基于MoS2的场效应晶体管.以CrOCl为底栅介电层及封装材料的MoS2晶体管的室温场效应迁移率约为60 cm2·V-1·s-1,2 K下进一步增大至100 cm2·V-1·s-1.此外,相比于无封装MoS2晶体管高达20 V的回滞窗口,CrOCl的包覆有效消除了晶体管转移特性的回滞现象,证明其在二维材料电子学中的应用潜力.
范德华绝缘体CrOCl、MoS2场效应晶体管、介电层、封装材料、回滞现象
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TN386(半导体技术)
模拟集成电路国家级重点实验室基金资助项目614280204030317
2023-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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315-320
