10.13911/j.cnki.1004-3365.220097
碳纳米管场效应晶体管紧凑模型研究进展
随着摩尔定律逼近极限,碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)被认为是5 nm以下CMOS晶体管的有力替代者.CNTFET具有准一维结构,栅极可有效控制导电沟道的导通/关断;同时,载流子在沟道内可实现近弹道输运,具有极高的迁移率.因此,CNTFET在低电压环境下,可提供较大的电流传输能力,为实现纳米级超大规模模拟/逻辑电路提供了解决方案.文章综述了CNTFET紧凑模型的发展现状,分析了现阶段面临的漏极电流精确模型、隧穿效应、寄生效应、多纳米管模型等存在的问题,重点探讨了针对这些问题的解决方案.最后对该紧凑模型未来的应用前景进行了讨论.
碳纳米管、漏极电流、隧穿效应、寄生效应、紧凑模型
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TN386(半导体技术)
国家自然科学基金;国家自然科学基金;福建省自然科学基金面上项目;厦门市青年创新基金资助项目;厦门市重大科技项目
2023-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共9页
286-294
