10.13911/j.cnki.1004-3365.230026
新一代超高速SiGe BiCMOS工艺研究进展
综述了近年来国际上SiGeBiCMOS工艺的最新研究成果和工艺量产情况,具体展现和讨论了不同机构所研发的器件结构、工艺流程及其性能,并且展望了器件及工艺进一步优化的方向.虽然目前传统的双多晶自对准选择性外延基区结构实现了最佳的量产性能,但受限于内外基区连接电阻和选择性外延基区薄膜的不均匀性,其器件性能很难再有进一步提高.非选择性外延基区结构在实验室获得了极高的性能,但其自对准特性较低,这妨碍了其工业量产和更大规模集成.维持HBT器件与更小尺寸基线CMOS的工艺兼容性变得越来越困难.对高性能、工业量产和低成本进行综合,仍然是一项具有较大挑战性的任务.
SiGe BiCMOS、SiGe HBT、高频性能、工业量产
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TN405(微电子学、集成电路（IC）)
国防科技工业抗辐照应用技术创新中心创新基金资助项目;重庆市博士后特别资助项目
2023-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共14页
272-285
