10.13911/j.cnki.1004-3365.220159
基于HBT工艺的低三阶交调失真射频放大器优化设计
针对宽带大信号容量无线系统对低三阶交调失真射频放大器的迫切需求,从放大器偏置点优化和片上散热优化两个方面研究了基于HBT工艺的低三阶交调失真射频放大器优化设计方法.分析了达林顿复合结构射频放大器交调特性与直流偏置点的关系,给出了放大器最佳三阶交调直流偏置点.提出了 一种优化散热的输出级分散布局电路结构,减小了片上温升带来的三阶交调性能恶化.应用提出的优化设计理论方法,基于2 μm AlGaAs/GaAs HBT工艺,设计了 一款工作于0.05～1 GHz的低三阶交调失真射频放大器.测试结果表明,该放大器实现了 42.1 dBm的输出三阶交调点,三阶交调与1 dB压缩点之比达到了 21.2 dB.
HBT、射频放大器、三阶交调
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TN431;TN722(微电子学、集成电路（IC）)
2023-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共6页
255-260
