10.13911/j.cnki.1004-3365.220044
GaN基HEMT失效热点行为研究
研究了 GaN基HEMT器件的失效热点行为.当VGS＞Vth时,漏极电流ID主要为漏-源导通电流IDS,输运机制为漂移;当VGS＜Vth时,ID主要为反向栅-漏电流IGD,输运机制为与可导位错有关的Fowler-Nordheim隧穿.通过分析VGS和VDS变化对热点分布的影响,表明栅极边界耗尽沟道内形成的强横向电场与势垒层内的强垂直电场分别是IDS和IGD电流形成热点的主要原因;同时,还测量了热点的微光光谱,并根据临界电场与最大光子能量得到了电子的平均自由程,约为60 nm.
GaN基HEMT、失效热点、高场区、热电子
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TN406(微电子学、集成电路（IC）)
无锡市科技发展基金资助项目WX0301B013602200004PB
2023-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共5页
170-174
