10.13911/j.cnki.1004-3365.220049
超薄柔性硅CMOS器件及无源元件性能退化仿真研究
基于150 mm 0.35 μm CMOS工艺,利用Silvaco TCAD软件,针对50 μm厚硅基上NMOS与PMOS器件、多晶硅-介电层-多晶硅(PIP)电容和N+型多晶硅电阻,在单轴状态不同弯曲半径下,仿真了压缩与拉伸对器件电学参数变化的影响程度.结果表明,单轴拉伸与压缩弯曲使NMOS的阈值电压最大漂移0.46 mV,使PMOS阈值电压最大漂移0.33 mV.漏极电流随变形量线性变化,NMOS压缩时系数为-0.132 95,NMOS拉伸时系数为0.006 01.PMOS拉伸时系数为-0.104 47,PMOS压缩时系数为-0.110 7.电阻阻值随变形量呈线性变化,当掺杂浓度分别为 1×1019,2×1019,3×1019,4×1019,5×1019 时,系数分别为 247,498,766,1 016,1 301.电容最大变化值和初始值不超过0.5％,结论归纳为无失配影响.这些结果与实验吻合,验证了模型的正确性,为研制降低退化的柔性硅基集成电路打下基础.
超薄、柔性、硅基、弯曲、器件模型
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TN432(微电子学、集成电路（IC）)
重庆市自然科学基金资助项目;中央高校基本科研业务费项目;中央高校基本科研业务费项目
2023-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
139-145
