10.13911/j.cnki.1004-3365.210483
带有肖特基漏极和场板结构的反向阻断垂直MOSFET研究
提出了一种采用肖特基漏极(SD)与场板相结合、实现硅基垂直MOSFET器件反向阻断应用的技术.基于该技术,采用二维仿真提出并研究了两种新型垂直MOSFET器件,即带有垂直场板(VFP)的SD-VFP-MOS器件和带有倾斜场板(SFP)的SD-SFP-MOS器件.相比采用肖特基漏极的MOSFET(SD-MOS)和采用超结和肖特基漏极的MOSFET(SD-SJ-MOS),所提出的SD-VFP-MOS,尤其是SD-SFP-MOS,反向击穿电压有显著提高,且几乎不影响导通特性.开展了器件的开态电流密度、关态电势分布、关态电流密度和电场分布分析,揭示了 VFP和SFP提高器件反向阻断能力的内在机理.详细讨论了场板结构参数对器件反向击穿电压和场板效率的影响,研究结果对于SD-VFP-MOS和SD-SFP-MOS的设计具有重要意义.
垂直MOSFET、肖特基漏极、场板、反向阻断
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TN323.4(半导体技术)
国家电网有限公司总部科技项目5500-201927267A-0-0-00
2023-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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