10.13911/j.cnki.1004-3365.210492
一种具有高PSRR的分段温度补偿带隙基准
基于华虹0.18μmBCD工艺,设计了一种具有高PSRR的分段温度补偿带隙基准.电路采用5 V电源进行供电,基准输出电压为1.256 V.仿真结果表明,在-45～125℃的温度范围内,TT工艺角下,传统结构的温漂系数只能达到2.048×10-5/℃.采用新型分段温度补偿的带隙基准的温漂系数为3.631×10-6/℃,相比传统结构,温度系数降低了 82.3％.静态功耗为220μW.PSRR在低频可达到-102 dB,在350 kHz处有最差PSRR,但仍有-30 dB.该带隙基准适用于高精度、大电流开关电源的模拟集成电路.
带隙基准、高PSRR、分段温度补偿
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TN433(微电子学、集成电路（IC）)
电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金KFJJ201914
2023-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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