10.13911/j.cnki.1004-3365.210486
一种高增益的宽带低噪声放大器的设计
采用SANAN公司的0.25 μm E-Mode pHEMT工艺,基于ADS仿真,设计了一款工作频率为2.0～4.2 GHz的两级级联的宽带LNA芯片.芯片采用电阻偏压的方式,实现了 3.3 V单电源供电.同时,设计了一种改进型的RLC并联负反馈结构,实现了宽带匹配.仿真结果表明,该LNA在2.0～4.2 GHz频段内,最大增益为30.9 dB,增益平坦度为±0.6 dB左右,输入回波损耗小于-9 dB,输出回波损耗小于-12 dB;噪声系数为(1.2±0.14)dB;系统稳定性因子K在全频带内大于2.8;芯片面积为0.78 mm×2.2 mm.
低噪声放大器、自偏置、ADS、负反馈、GaAs
53
TN722.3(基本电子电路)
国家自然科学基金;国家自然科学基金;专用集成电路与系统国家重点实验室开放课题;广西创新研究团队项目;广西精密导航技术与应用重点实验室基金资助项目
2023-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
1-7
