10.13911/j.cnki.1004-3365.220119
基于0.13 μm SiGe工艺的48～68 GHz四倍频器
采用0.13μmSiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一种应用于高速光通信的全集成注入锁定四倍频器芯片.该设计包括单端转差分放大器、注入锁定二倍频器(ILFD)以及分频器(Divider-by-2).测试结果表明,该四倍频器的输出锁定范围达到了 48～68 GHz,输出锁定在65 GHz时的谐波抑制比为36 dBc.芯片核心面积为0.36 mm2,在3.3 V供电电压下,核心功耗为247 mW.该设计可以满足下一代超高速光电互联芯片对高速时钟的应用需求.
注入锁定、倍频器、四倍频器、锁定范围
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TN771;TN433(基本电子电路)
国家自然科学基金62174132
2023-02-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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